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当地时间8月23日 ，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上 ，钼是必选项 。
SemiAnalysis分析 ，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻 、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限 ，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产 ，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计 ，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比 ，增长至2027年的约30% 。
更进一步的，该机构提出 ，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场 。
该机构称 ，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计 ，仅2027年一年 ，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年 。
受益格局方面 ，Lam Research（泛林集团）最先获益 ，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料） 、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮 。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。
钼渗透率在高层数NAND中提升 ，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线 。
300层NAND主要在结构上升级 ，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠 、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制 。
375层乃至400层以后，材料亟需升级 ，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化 、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率 、无氟前驱体及无需阻隔层等优势 ，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量 ，从而延续高层数NAND的成本下降曲线 。
中银证券表示 ，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线 ，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后 ，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立 。
然而，钼的材料加工更为复杂 ，因为必须以气体形式输送 ，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。
基于此 ，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼 ，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给 、ALD沉积腔体、刻蚀 、清洗 、尾气处理整套工艺链条的重构 ，原有钨CVD产线硬件无法直接复用 ，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料 、零部件均迎来变化 。
爱建证券表示 ，钼导入本质是一次全流程工艺重构 ，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测 ”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸 。其中——
沉积：成熟的WF钨工艺 ，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口 ，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；
输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大 ，需要新增气化装置 、温控管路及精密供气系统 ，以保障前驱体稳定输送；
CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫 ，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；
清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化 ，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；
刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口 ，且3DNAND层数持续提升下 ，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；
量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性 、填充缺陷 、金属残留及电学可靠性等监控项目 ，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。
该机构称 ，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积 、刻蚀 、清洗等关键设备迭代升级 ，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀 、清洗等关键环节工艺升级 ，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）
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